Startseite Pressestelle Pressemeldungen Deutsche Gesellschaft für Materialkunde zeichnet Yan Ma aus Publikationen von Martin R. Albrecht Alle Typen Zeitschriftenartikel (6) Zeitschriftenartikel (6) 1. Zeitschriftenartikel Schulz, T.; Lymperakis, L.; Anikeeva, M.; Siekacz, M.; Wolny, P.; Markurt, T.; Albrecht, M. R.: Influence of strain on the indium incorporation in (0001) GaN. Physical Review Materials 4 (7), 073404 (2020) MPG.PuRe DOI 2. Zeitschriftenartikel Anikeeva, M.; Albrecht, M. R.; Mahler, F.; Tomm, J. W.; Lymperakis, L.; Chèze, C.; Calarco, R.; Neugebauer, J.; Schulz, T.: Role of hole confinement in the recombination properties of InGaN quantum structures. Scientific Reports 9 (1), 9047 (2019) MPG.PuRe DOI publisher-version 3. Zeitschriftenartikel Lymperakis, L.; Schulz, T.; Freysoldt, C.; Anikeeva, M.; Chen, Z.; Zheng, X.; Shen, B.; Chèze, C.; Siekacz, M.; Wang, X. et al.; Albrecht, M. R.; Neugebauer, J.: Elastically frustrated rehybridization: Origin of chemical order and compositional limits in InGaN quantum wells. Physical Review Materials 2 (1), 011601 (2018) MPG.PuRe DOI 4. Zeitschriftenartikel Albrecht, M.; Lymperakis, L.; Neugebauer, J.: Origin of the unusually strong luminescence of a-type screw dislocations in GaN. Physical Review B 90 (24), 241201 (2014) MPG.PuRe DOI 5. Zeitschriftenartikel Schulz, T.; Duff, A.; Remmele, M.; Korytov, T.; Markut, M.; Albrecht, M.; Lymperakis, L.; Neugebauer, J.; Chèze, C.; Skierbiszewski, C.: Separating strain from composition in unit cell parameter maps obtained from aberration corrected high resolution transmission electron microscopy imaging. Journal of Applied Physics 115 (3), 033113 (2014) MPG.PuRe DOI 6. Zeitschriftenartikel Markurt, T.; Lymperakis, L.; Neugebauer, J.; Drechsel, P.; Stauß, P.; Schulz, T.; Remmele, T.; Grillo, V.; Rotunno, E.; Albrecht, M. R.: Blocking Growth by an Electrically Active Subsurface Layer: The Effect of Si as an Antisurfactant in the Growth of GaN. Physical Review Letters 110 (3), 036103 (2013) MPG.PuRe DOI