![Grenzflächenchemie und Oberflächentechnik Grenzflächenchemie und Oberflächentechnik](/3168254/header_image-1424700584.jpg?t=eyJ3aWR0aCI6ODQ4LCJmaWxlX2V4dGVuc2lvbiI6ImpwZyIsIm9ial9pZCI6MzE2ODI1NH0%3D--cc97b2c2202e8665e8175d123940558d6dd2df4b)
Publikationen von Mariia Anikeeva
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Zeitschriftenartikel (3)
1.
Zeitschriftenartikel
4 (7), 073404 (2020)
Influence of strain on the indium incorporation in (0001) GaN. Physical Review Materials 2.
Zeitschriftenartikel
9 (1), 9047 (2019)
Role of hole confinement in the recombination properties of InGaN quantum structures. Scientific Reports 3.
Zeitschriftenartikel
2 (1), 011601 (2018)
Elastically frustrated rehybridization: Origin of chemical order and compositional limits in InGaN quantum wells. Physical Review Materials